• 對應Chip to Wafer TCB工藝的靈活封裝貼片機
• 對應短時間Chip to Substrate的切換
• 可以對應TCB（NCP/NCF/TC-CUF），C2，C4，FO-WLP等工藝
• 通過獨自的NVS (Non Vibration System)技術，實現高精度貼片
• 使用高速脈衝溫控系統，可以在短時間內進行加熱/冷卻，實現高產出
• 通過搭載吸取薄晶片的專用模組，可以實現高速吸取（400ms/晶片）厚度為20μm的晶片（選購件）
• 貼片工藝:TCB工藝（NCP/NCF/TC-CUF），C2/C4工藝，FO-WLP工藝
• 貼片精度:±2.5μm (3σ)　根據本公司實裝條件
• UPH:UPH 6,000 (C4 mode/不包含工藝時間)　根據本公司實裝條件
• 貼片荷重:0.3～350N

※根據Bonding條件可選擇荷重的控制方式
但是，同一個焊接程式內，高荷重控制和低荷重控制不可切換。
・低荷重控制方式：0.3～20N 
・高荷重控制方式：10～350N
• 貼片工具溫度設定:室溫～400℃　（1℃/Step、脈衝加熱）
• 貼片台溫度設定:室溫～200℃　（1℃/step）
• 晶片尺寸:□1～22mm、t=0.02～0.7mm
• 基礎晶圓尺寸：φ300ｍｍ　（φ200mm 可選）
• 貼片方向：Face down　（Face up：選購件：條件需要商量）