• 對應Chip to Wafer的NCF-TCB工藝
• 採用探頭攝像機技術和線性馬達，可進行高速高精度的倒裝貼片
• 通過機頭Z軸高、低荷重切換功能，實現高精度的電極接合
• 使用高速脈衝溫控系統，可以在短時間內進行加熱/冷卻，實現高產出
• 搭載流程監控及管理功能，確保穩定品質以及工藝的可攜性
• 可對應Chip Wafer，Base Wafer在內的12英寸晶圓

• 貼片工藝:脈衝加熱壓著方式
• 貼片精度:±2μm (3σ)　根據本公司實裝條件
• 設備運轉時間:2.2s/Chip　（不包含工藝時間）根據本公司實裝條件
• 貼片荷重:1～300N
※根據Bonding條件可選擇荷重的控制方式
・低荷重控制方式：1～50N　0.1N/Step
・高荷重控制方式：10～300N　1N/Step
• 貼片工具溫度設定:室溫～400℃　（1℃/Step、脈衝加熱）
• 貼片台溫度設定:室溫～120℃　（1℃/step）
• 晶片尺寸:□2～20mm，t=0.05～0.7mm
• 晶圓尺寸：φ200mm，φ300mm
• 工藝: NCF-TCB (Option工藝：NCP-TCB，Flux-TCB）