• 貼片精度為±20μｍ（3σ）（根據選擇項，可對應±15um（3σ））框架搬送時採用線性驅動，可達成搬送精度的高精度化

• 搭載為了實現長時間穩定運作的自我診斷功能

• 搭載點膠機構（選擇項），可對應銀漿焊接（雙機頭）

• 通過適用晶片背面檢測攝像機（選擇項），實現更高精度化、更多樣的檢查功能

• 容易更換共晶、WBC/DAF、銀漿工藝的機構（選擇項）*WBC/DAF : Wafer Backside Coating/Die Attach Film

• 貼片方式 熱共晶方式

• 貼片精度 XY：±20μm (3σ)，θ：±3°　根據本公司貼片條件

• 機器周轉時間 0.168s/晶片（平均）根據本公司貼片條件的平均時間UPH 21,000

• 引線框運送設定溫度 室溫～500℃（3ch控制）

• 晶圓伸展量 5～15mm（可變）

• 晶片尺寸 □0.12～1.5mm,t=0.1～0.3mm

• 晶圓尺寸 最大 8英寸

• 引線框尺寸 寬度 20～86mm　（最大貼片區域＝76mm）

• 長度 120～260mm　（最大貼片區域＝10mm）

• 厚度 0.1～0.4mm

• 選購件 料盒抓取方式

• 驅動源 輸入電源 単相　AC 200V±5%　50/60Hz（如電壓不同,需商量）

• 消費電力 最大 2.5kW

• 空氣 400kPa (4kgf/cm2) ，260L/min　連接：φ8，Tube 2個地方

• N2氣體 200kPa (2kgf/cm2) ，20L/min　連接：φ6，Tube 1個地方

• 混合氣體 N2 95%+ H2 5%

• 真空 -87kPa (-650mmHg)以下 （測量壓） 連接：φ8，Tube 1個地方

• 機器尺寸重量 約880W x 1,050D x 1,500H mm　約1,000kg　（不包含顯示器，信號燈）